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InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是单光子检测的专用器件,是量子通信设备中单光子检测的核心器件。该产品由我司与CETC研究所联合研制,打破以往该类器件对进口的依赖,且具有优秀的设计理念与工艺水平,可满足量子信息领域对高效率低噪声单光子检测的技术需求。
正常工作时该器件的反向工作电压大于二极管反向击穿电压(即“盖革模式”),此时当单光子入射到APD管的光接收区时,APD管会产生雪崩脉冲电流。通过脉冲检测电路把脉冲电流信号转换为标准数据信号,实现对单光子探测功能。该器件的光谱响应范围是950~1650nm。 |
关键特性
·单光子检测 ·盖革模式工作 ·高响应度 ·高探测效率 ·超低噪声 ·尾纤封装 ·安装方便 |
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典型应用 ·量子通信 ·荧光检测 ·3D成像 ·激光测距 ·环境检测 ·时间相关计数等
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线性模式参数(室温295K,所有电压和电流采用默认值)
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响应度
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8-11.0A/W
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反向击穿电压
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60-80v
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盖革模式参数
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光子探测效率
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10%-20%
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